单层的Ni3Ge2O5(OH)4纳米片表现出了优于多层纳米片的OER性能，不要别人主要得益于少层、不要别人小尺寸的纳米片有更高的电化学活性面积以及更多的高活性(100)晶面的暴露。

已经在锂化的SiO中观察到各种硅酸锂，轻易并且它们的表现取决于组成而完全不同。不到底（d）SiOx/C和SiOx/C-CVD在500mAg-1下的循环性能。

（d、知道e）具有2,5和10wt％PFM粘合剂的SiO负极在200mAg-1下的循环性能。构建的多孔结构不仅提供用于体积膨胀调节的自由空间，经历而且提供用于Li+扩散的有效通道，用于提高SiO的循环稳定性。不要别人（c）多孔SiOx的HR-TEM图像。

除了SiOC粉末样品之外，轻易还构建了用于LIBs的SiOC薄膜。不到底（e）组装的d-SiO@vG/石墨//NCA18650全电池的数码照片。

1.2、知道SiO的锂化行为了解锂化/脱锂的机理对于进一步改善SiO的电化学性能是至关重要。

4.2.3、经历SiOC/金属杂化负极材料将金属引入SiOC以制备SiOC/金属杂化负极也被认为是实现电化学性能进一步改善的有效方法。不要别人相关成果以题为Colossalgraingrowthyieldssingle-crystalmetalfoilsbycontact-freeannealing发表在了Science上。

这一发现，轻易可以实现大规模的单晶金属箔片工业化生产。这些单晶金属箔片在表面科学、不到底基础催化研究和各种其他应用领域中具有许多用途。

【成果简介】今日，知道在韩国基础科学研究所RodneyS.Ruoff教授和Hyung-JoonShin教授（共同通讯作者）团队的带领下，知道与蔚山国立科技研究所和成均馆大学合作，报道了一种无接触退火（CFA）策略，实现了通过商业多晶箔片普适性制备大面积单晶金属箔片。 【图文导读】图1通过CFA生产的单晶Cu（111）箔片图2通过CFA生产的单晶Pt（111）箔片图3 大面积单晶Cu的织构演变和晶粒长大图4从{112}111向{111}112方向转变的单晶fcc箔片文献链接：经历Colossalgraingrowthyieldssingle-crystalmetalfoilsbycontact-freeannealing（Science,2018,DOI：经历10.1126/science.aao3373）本文由材料人编辑部学术组木文韬翻译，材料牛整理编辑。